2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SA2070(TE12L,F) за ціною від 15.54 грн до 37.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2070(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINIPower - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PW-MINI DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SA2070(TE12L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SA2070(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SA2070(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2070(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.11 грн |
| 10+ | 30.53 грн |
| 100+ | 21.21 грн |
| 500+ | 15.54 грн |
| 2SA2070(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA2070(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2070(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




