2SA2070(TE12L,F)

2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


2SA2070_datasheet_en_20131101.pdf?did=20459&prodName=2SA2070 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SA2070(TE12L,F) за ціною від 11.11 грн до 77.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
828+14.75 грн
834+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 828
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070_datasheet_en_20131101.pdf?did=20459&prodName=2SA2070 Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
10+31.42 грн
100+21.83 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SA2070_datasheet_en_20131101-1649864.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.28 грн
10+36.21 грн
100+20.67 грн
500+15.96 грн
1000+14.20 грн
2000+13.17 грн
5000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+77.07 грн
256+47.68 грн
396+30.81 грн
728+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.