Продукція > TOSHIBA > 2SA2070(TE12L,F)
2SA2070(TE12L,F)

2SA2070(TE12L,F) Toshiba


5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
828+14.68 грн
834+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 828
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2070(TE12L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SA2070(TE12L,F) за ціною від 10.91 грн до 65.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070_datasheet_en_20131101.pdf?did=20459&prodName=2SA2070 Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070_datasheet_en_20131101.pdf?did=20459&prodName=2SA2070 Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.36 грн
10+32.37 грн
100+22.49 грн
500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5CA147032371F3BF06061D65B95060E607675A26D3746562FEAD0F558722E0C6.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.64 грн
10+37.57 грн
100+21.15 грн
500+16.14 грн
1000+14.10 грн
2000+13.26 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
353+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 353
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+65.41 грн
500+40.39 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=20459&prodName=2SA2070 Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.90 грн
21+40.73 грн
100+26.36 грн
500+18.71 грн
1000+15.09 грн
5000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=20459&prodName=2SA2070 Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.90 грн
21+40.73 грн
100+26.36 грн
500+18.71 грн
1000+15.09 грн
5000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2070(TE12L,F) 2SA2070(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5402sa2070_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.