2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 22.41 грн |
| 4000+ | 19.87 грн |
| 6000+ | 19.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MOLD, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SA2097(TE16L1,NQ) за ціною від 22.16 грн до 86.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLDPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 7656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2097(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 234+ | 60.31 грн |
| 335+ | 42.25 грн |
| 500+ | 33.58 грн |
| 1000+ | 29.45 грн |
| 2SA2097(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.28 грн |
| 10+ | 50.93 грн |
| 100+ | 33.50 грн |
| 500+ | 24.42 грн |
| 1000+ | 22.16 грн |
| 2SA2097(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.43 грн |
| 13+ | 60.28 грн |
| 100+ | 42.22 грн |
| 500+ | 32.35 грн |
| 1000+ | 27.24 грн |
| 2SA2097(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.47 грн |
| 13+ | 60.31 грн |
| 100+ | 42.25 грн |
| 500+ | 32.38 грн |
| 1000+ | 27.27 грн |
| 2SA2097(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




