Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA2097(TE16L1,NQ)
2SA2097(TE16L1,NQ)

2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MOLD, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SA2097(TE16L1,NQ) за ціною від 21.48 грн до 90.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20120831.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+37.58 грн
327+37.42 грн
500+30.01 грн
1000+26.28 грн
2000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+50.73 грн
100+33.38 грн
500+24.33 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2SA2097_datasheet_en_20131101-1649832.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.12 грн
10+58.63 грн
25+50.91 грн
100+33.69 грн
500+26.48 грн
1000+23.91 грн
2000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20120831.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20120831.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20120831.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.