Продукція > TOSHIBA > 2SA2154CT-GR,L3F(T
2SA2154CT-GR,L3F(T

2SA2154CT-GR,L3F(T Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 50000mW 3-Pin CST T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2154CT-GR,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CST, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SA2154CT-GR,L3F(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA2154CT-GR,L3F(T 2SA2154CT-GR,L3F(T TOSHIBA TOSCS51222-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825 Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(T 2SA2154CT-GR,L3F(T TOSHIBA TOSCS51222-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825 Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(T TOSCS51222-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825
2SA2154CT-GR,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(T TOSCS51222-1.pdf?hkey=8FF9937AB4D386CC6D0AAF3EE0D3F825
2SA2154CT-GR,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.