2SA2154CT-GR,L3F Toshiba
на замовлення 33890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 13.56 грн |
| 36+ | 9.48 грн |
| 100+ | 7.21 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| 2500+ | 3.16 грн |
| 10000+ | 2.57 грн |
| 20000+ | 2.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2154CT-GR,L3F Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: CST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW.
Інші пропозиції 2SA2154CT-GR,L3F за ціною від 3.19 грн до 19.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2154CT-GR,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 7850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2154CT-GR,L3F | Виробник : Toshiba |
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SA2154CT-GR,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW |
товару немає в наявності |