| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4644+ | 3.05 грн |
| 5085+ | 2.79 грн |
| 5103+ | 2.78 грн |
| 8000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2154MFV-Y,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SA2154MFV-Y,L3F(T за ціною від 2.36 грн до 9.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA2154MFV-Y,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 127 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SA2154MFV-Y,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4323+ | 3.28 грн |
| 4717+ | 3.01 грн |
| 4747+ | 2.99 грн |
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4298+ | 3.30 грн |
| 4688+ | 3.02 грн |
| 4703+ | 3.01 грн |
| 8000+ | 2.36 грн |
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2101+ | 7.18 грн |
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 9.79 грн |
| 155+ | 4.90 грн |
| 233+ | 3.13 грн |
| 500+ | 2.88 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2154MFV-Y,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)