2SA2154MFVGR,L3F(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.76 грн |
| 1000+ | 1.27 грн |
| 5000+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2154MFVGR,L3F(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA2154MFVGR,L3F(T за ціною від 1.13 грн до 5.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2154MFVGR,L3F(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 13134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA2154MFVGR,L3F(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA2154MFVGR,L3F(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
товару немає в наявності |