2SA2154MFVGR,L3F

2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 7950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.28 грн
33+ 8.48 грн
100+ 4.56 грн
500+ 3.36 грн
1000+ 2.34 грн
2000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA2154MFVGR,L3F за ціною від 1.2 грн до 13.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA2154MFVGR,L3F 2SA2154MFVGR,L3F Виробник : Toshiba 2SA2154MFV_datasheet_en_20140301-1916552.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 50V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.01 грн
35+ 8.98 грн
100+ 3.54 грн
1000+ 2.07 грн
2500+ 1.87 грн
8000+ 1.4 грн
48000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA2154MFVGR,L3F 2SA2154MFVGR,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній