Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1132T100R
2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor

5280530327600222sb1132.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
354+39.97 грн
545+25.91 грн
738+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 354 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1132T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1132T100R за ціною від 14.38 грн до 64.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1132T100R 2SB1132T100R Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.01 грн
10+31.46 грн
100+20.17 грн
500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R 2SB1132T100R Rohm Semiconductor 5280530327600222sb1132.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.93 грн
19+39.97 грн
100+25.91 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R Rohm 2sb1132.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T 100R ROHM
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R ROHM 09+
на замовлення 87986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R ROHM SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf
2SB1132T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.01 грн
10+31.46 грн
100+20.17 грн
500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R 5280530327600222sb1132.pdf
2SB1132T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.93 грн
19+39.97 грн
100+25.91 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R 2sb1132.pdf
Виробник: Rohm
Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T 100R
Виробник: ROHM
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 87986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.