2SB1188-R Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 2.82 грн |
| 5000+ | 2.57 грн |
| 10000+ | 2.42 грн |
| 20000+ | 2.13 грн |
| 40000+ | 1.91 грн |
| 100000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1188-R Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SB1188-R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1188-R | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SB1188R | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SB1188/R | Виробник : ROHM | SOT-89 |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |