2SB1188-R

2SB1188-R Yangjie Technology



Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+2.82 грн
5000+2.57 грн
10000+2.42 грн
20000+2.13 грн
40000+1.91 грн
100000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1188-R Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SB1188-R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1188-R Виробник : ROHM 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188R Виробник : ROHM 09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188/R Виробник : ROHM SOT-89
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.