2SB1189T100Q Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1189T100Q Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SB1189T100Q за ціною від 19.02 грн до 67.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1189T100Q | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SB1189T100Q | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3Power - Max: 2 W Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SB1189 T100Q | ROHM | SOT89 |
на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1189T100Q |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 63.06 грн |
| 10+ | 38.74 грн |
| 2SB1189T100Q |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.57 грн |
| 10+ | 40.68 грн |
| 100+ | 26.41 грн |
| 500+ | 19.02 грн |
| 2SB1189 T100Q |
Виробник: ROHM
SOT89
SOT89
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



