Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1189T100Q
2SB1189T100Q

2SB1189T100Q Rohm Semiconductor

2SB1189%2C1238_RevB.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1189T100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1189T100Q за ціною від 19.53 грн до 69.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1189T100Q 2SB1189T100Q Rohm Semiconductor 2SB1189%2C1238_RevB.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.73 грн
100+27.10 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1189T100Q 2SB1189T100Q ROHM Semiconductor 2SB1189%2C1238_RevB.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1189 T100Q ROHM SOT89
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1189T100Q 2SB1189%2C1238_RevB.pdf
2SB1189T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.73 грн
100+27.10 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1189T100Q 2SB1189%2C1238_RevB.pdf
2SB1189T100Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1189 T100Q
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.