Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1260T100R
2SB1260T100R

2SB1260T100R Rohm Semiconductor

5281269815057512sb1260.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.18 грн
2000+14.13 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1260T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1260T100R за ціною від 16.23 грн до 58.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1260T100R 2SB1260T100R Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.95 грн
100+22.61 грн
500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260 T100R ROHM SOT89
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R 5281269815057512sb1260.pdf
2SB1260T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.00 грн
10+34.95 грн
100+22.61 грн
500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260 T100R
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.