2SB1260T100R

2SB1260T100R Rohm Semiconductor


Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.65 грн
2000+14.55 грн
3000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1260T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1260T100R за ціною від 13.50 грн до 60.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
607+20.08 грн
610+19.99 грн
750+16.23 грн
1000+14.67 грн
2000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : Rohm Semiconductor Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+36.01 грн
100+23.29 грн
500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R Виробник : ROHM SOT-89
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 180...390
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R Виробник : ROHM Semiconductor rohms32747-1.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 180...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.