Продукція > TOSHIBA > 2SB906-Y(TE16L1,NQ)
2SB906-Y(TE16L1,NQ)

2SB906-Y(TE16L1,NQ) Toshiba

4292sb906_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+129.56 грн
155+91.82 грн
215+65.80 грн
500+51.86 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB906-Y(TE16L1,NQ) Toshiba

Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 9MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB906-Y(TE16L1,NQ)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB906-Y(TE16L1,NQ 2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba 3FD30A48C8B70FB98C507AE187F7B26D1921E45F508BFE321A1ABF99F0496288.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD PC=20W F=9MHZ
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB906-Y(TE16L1,NQ 3FD30A48C8B70FB98C507AE187F7B26D1921E45F508BFE321A1ABF99F0496288.pdf
2SB906-Y(TE16L1,NQ
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD PC=20W F=9MHZ
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.