Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2712-GR,LF
2SC2712-GR,LF

2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: S-Mini, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC2712-GR,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC2712-GR,LF 2SC2712-GR,LF Toshiba docget.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF 2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF 2SC2712-GR,LF Toshiba 4233364646433133383731363645393742383144374445463042413344443338.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF docget.pdf
2SC2712-GR,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF 4233364646433133383731363645393742383144374445463042413344443338.pdf
2SC2712-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.