Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2712-OTE85LF
2SC2712-OTE85LF

2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.52 грн
6000+2.16 грн
9000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2712-OTE85LF за ціною від 2.06 грн до 14.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 13879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
42+7.70 грн
100+4.75 грн
500+3.24 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba 4233364646433133383731363645393742383144374445463042413344443338.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
на замовлення 11583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.78 грн
42+8.50 грн
100+4.57 грн
500+3.35 грн
1000+2.97 грн
3000+2.29 грн
6000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
878+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 878
В кошику  од. на суму  грн.