Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2712-Y,LF
2SC2712-Y,LF

2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.36 грн
6000+ 2.15 грн
9000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2712-Y,LF за ціною від 1.39 грн до 14.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 28540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
30+ 9.34 грн
100+ 5.04 грн
500+ 3.71 грн
1000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Виробник : Toshiba 2SC2712_datasheet_en_20220203-1916293.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
на замовлення 178918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.41 грн
30+ 10.24 грн
100+ 3.79 грн
1000+ 2.26 грн
3000+ 1.79 грн
9000+ 1.53 грн
24000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Виробник : Toshiba 2sc2712_datasheet_en_20220203.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SC2712-Y,LF 2SC2712-Y,LF Виробник : Toshiba 2sc2712_datasheet_en_20220203.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній