2SC2712-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 7.38 грн |
| 91+ | 3.47 грн |
| 148+ | 2.15 грн |
| 500+ | 1.44 грн |
| 1000+ | 1.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2712-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC2712-Y
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2712Y | Виробник : TOSHIBA |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
2SC2712-Y Код товару: 214321
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||
|
|
2SC2712-Y | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2SC2712-Y | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |