2SC2713-BL,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2713-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.30 грн |
| 1000+ | 4.33 грн |
| 5000+ | 3.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2713-BL,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2713-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SC2713-BL,LF(T за ціною від 3.43 грн до 20.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC2713-BL,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC2713-BL,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 23039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini |
товару немає в наявності |