Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2713-BL,LF
2SC2713-BL,LF

2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.64 грн
29+10.62 грн
100+6.61 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2713-BL,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC2713-BL,LF 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713-BL,LF Toshiba C748D610F7DABA3890760EE06A1BD5DAEFADCF1DCB845C29FE706FFFF91AD5EC.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713.pdf
2SC2713-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF C748D610F7DABA3890760EE06A1BD5DAEFADCF1DCB845C29FE706FFFF91AD5EC.pdf
2SC2713-BL,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.