2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.70 грн |
| 29+ | 10.30 грн |
| 100+ | 6.40 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC2713-BL,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC2713-BL,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC2713-BL,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)