Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2713-GR,LF
2SC2713-GR,LF

2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.45 грн
6000+2.98 грн
9000+2.80 грн
15000+2.45 грн
21000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2713-GR,LF за ціною від 3.76 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713 Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.20 грн
500+4.27 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Toshiba 38C55F57A28EFEB474D6C4B2C9CA9E47C90B92E09B0134C4D55929D7506DEF24.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 24491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713
2SC2713-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.20 грн
500+4.27 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 38C55F57A28EFEB474D6C4B2C9CA9E47C90B92E09B0134C4D55929D7506DEF24.pdf
2SC2713-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 24491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.