Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2713-GR,LF
2SC2713-GR,LF

2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.28 грн
6000+ 2.92 грн
9000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2713-GR,LF за ціною від 2.47 грн до 21.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.5 грн
22+ 12.87 грн
100+ 6.28 грн
500+ 4.91 грн
1000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2SC2713_datasheet_en_20220308-1916373.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.03 грн
19+ 16.89 грн
100+ 7.81 грн
500+ 5.14 грн
1000+ 3.47 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній