Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2713-GR,LF
2SC2713-GR,LF

2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.55 грн
6000+3.06 грн
9000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC2713-GR,LF за ціною від 2.55 грн до 17.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 3338433535463537413238454645423437344436433442324339434139453437.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.60 грн
32+10.09 грн
100+5.52 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
3000+2.76 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.87 грн
30+10.25 грн
100+6.37 грн
500+4.38 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Виробник : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.