Продукція > TOSHIBA > 2SC2714-O(TE85L,F)
2SC2714-O(TE85L,F)

2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba

192sc2714_en_datasheet_071101.pdf
Виробник: Toshiba
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1743+8.06 грн
1801+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 1743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI, Part Status: Active, Supplier Device Package: S-Mini, Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Frequency - Transition: 550MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 100mW, Gain: 23dB, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC2714-O(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC2714-O(TE85L,F) 2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Toshiba_05282020_2SC2714_datasheet_en_20140301-1854256.pdf RF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba_05282020_2SC2714_datasheet_en_20140301-1854256.pdf
2SC2714-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.