| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2162+ | 6.50 грн |
| 2168+ | 6.48 грн |
| 2348+ | 5.98 грн |
| 2416+ | 5.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 23dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 550MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2SC2714-Y(TE85L,F) за ціною від 5.87 грн до 25.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 550MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC2714-Y(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 20+ | 15.12 грн |
| 100+ | 9.48 грн |
| 500+ | 6.61 грн |
| 1000+ | 5.87 грн |
| 2SC2714-Y(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)