2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 23dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 550MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2SC2714-Y(TE85L,F) за ціною від 3.74 грн до 31.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 550MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active |
на замовлення 7911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V |
на замовлення 4101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 +1 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.02A; 0.1W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 40...200 Collector current: 20mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Frequency: 550MHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
+1 |
2SC2714-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.02A; 0.1W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 40...200 Collector current: 20mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Frequency: 550MHz |
товар відсутній |