2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SC2873-Y(TE12L,ZC за ціною від 8.53 грн до 85.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=0.5W F=120MHZ |
на замовлення 3191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |