Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2881-Y(TE12L,ZC
2SC2881-Y(TE12L,ZC

2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC2881-Y(TE12L,ZC за ціною від 11.33 грн до 58.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+31.50 грн
100+20.28 грн
500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+53.03 грн
500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 2SC2881_datasheet_en_20131101-1649910.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+36.29 грн
100+20.75 грн
250+20.67 грн
500+15.82 грн
1000+13.76 грн
2000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.