Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC2881-Y(TE12L,ZC
2SC2881-Y(TE12L,ZC

2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.19 грн
2000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SC2881-Y(TE12L,ZC за ціною від 13.66 грн до 49.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba 2sc2881datasheeten20131101.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.74 грн
872+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.26 грн
10+29.65 грн
100+19.10 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba CA41957AE0ACE4D7D862BD029D237075F8903FDFAF7F6C0BF2053DD7CE2E9AE3.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC TOSHIBA docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba 2sc2881datasheeten20131101.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC TOSHIBA docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2sc2881datasheeten20131101.pdf
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
840+16.74 грн
872+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.26 грн
10+29.65 грн
100+19.10 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC CA41957AE0ACE4D7D862BD029D237075F8903FDFAF7F6C0BF2053DD7CE2E9AE3.pdf
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2sc2881datasheeten20131101.pdf
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2881-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.