2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.57 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 500+ | 6.82 грн |
| 1000+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA.
Інші пропозиції 2SC3265-Y,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3265-Y,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 9160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3265-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)