2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SC3303-Y(T6L1,NQ) за ціною від 38.84 грн до 151.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303 Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.07 грн
10+84.60 грн
100+57.01 грн
500+42.41 грн
1000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 2sc3303datasheeten20131101.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.72 грн
10+107.95 грн
100+74.81 грн
500+58.97 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 2sc3303datasheeten20131101.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.72 грн
132+107.95 грн
191+74.81 грн
500+58.97 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 712456692A2C567B07A9ACDCDDB2A63CD09CCD3D487C2D95A66747604EB7CEEA.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.07 грн
10+84.60 грн
100+57.01 грн
500+42.41 грн
1000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2sc3303datasheeten20131101.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+151.72 грн
10+107.95 грн
100+74.81 грн
500+58.97 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2sc3303datasheeten20131101.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.72 грн
132+107.95 грн
191+74.81 грн
500+58.97 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 712456692A2C567B07A9ACDCDDB2A63CD09CCD3D487C2D95A66747604EB7CEEA.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.