Інші пропозиції 2SC3324GRTE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SC3324GRTE85LF | Toshiba |
TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
2SC3324GRTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2SC3324GRTE85LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3324GRTE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) Транзистори
TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3324GRTE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3324GRTE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low
Bipolar Transistors - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




