Продукція > TOSHIBA > 2SC3325-O(TE85L,F)

2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba

Name: 2SC3325-O(TE85L,F)
Brand: Toshiba
SKU: 4256872-4
Price: 2.67 UAH
Availability: InStock

2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf

Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

на замовлення 8543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	28.27 грн
14+	22.96 грн
100+	8.21 грн
1000+	4.87 грн
3000+	3.87 грн
9000+	2.87 грн
24000+	2.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SC3325-O(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	2SC3325-O(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW	товар відсутній
	2SC3325-O(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW	товар відсутній