2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.85 грн
6000+3.33 грн
9000+3.13 грн
15000+2.73 грн
21000+2.61 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SC3325-Y,LF за ціною від 4.19 грн до 18.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.88 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF TOSHIBA 2SC3325.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
40+10.65 грн
100+6.63 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba 07AC10F69053EC0B561A2A2905D4D646ABA96C2428441321F22C97E8C327F4AD.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 14157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF Toshiba docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
106+7.36 грн
114+6.88 грн
123+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.88 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
40+10.65 грн
100+6.63 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 07AC10F69053EC0B561A2A2905D4D646ABA96C2428441321F22C97E8C327F4AD.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 14157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Виробник: Toshiba
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+7.36 грн
114+6.88 грн
123+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.