2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.44 грн |
| 6000+ | 2.97 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| 15000+ | 2.44 грн |
| 21000+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SC3325-Y,LF за ціною від 2.62 грн до 22.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC3325-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 21847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC3325-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification |
на замовлення 15494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC3325-Y,LF | Виробник : TOSHIBA |
2SC3325-Y NPN SMD transistors |
на замовлення 5223 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC3325-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 147 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
2SC3325-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SC3325-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |

