2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.99 грн |
| 6000+ | 4.34 грн |
| 9000+ | 4.10 грн |
| 15000+ | 3.59 грн |
| 21000+ | 3.44 грн |
| 30000+ | 3.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC3326-A,LF за ціною від 3.96 грн до 23.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC3326-A,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification |
на замовлення 15490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC3326-A,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 39082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC3326-A,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SC3326-A,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
2SC3326-A,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

