2SC3326-B,LF(T Toshiba
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2565+ | 4.76 грн |
| 2646+ | 4.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3326-B,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SC3326-B,LF(T за ціною від 3.18 грн до 25.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3326-B,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC3326-B,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC3326-B,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
на замовлення 15975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC3326-B,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC3326-B,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC3326-B,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |