Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC3326-B,LF
2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC3326-B,LF за ціною від 5.71 грн до 25.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 4238333042464537333934443732424630333137464446394235303146443231.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 4238333042464537333934443732424630333137464446394235303146443231.pdf
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.