Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC3326-B,LF
2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.38 грн
6000+3.80 грн
9000+3.59 грн
15000+3.15 грн
21000+3.02 грн
30000+2.89 грн
75000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC3326-B,LF за ціною від 3.72 грн до 28.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.15 грн
22+14.42 грн
100+9.01 грн
500+6.27 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.04 грн
24+14.72 грн
100+7.96 грн
500+5.95 грн
1000+4.99 грн
3000+4.09 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.