Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC3326-B,LF
2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
21000+3.33 грн
30000+3.19 грн
75000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC3326-B,LF за ціною від 3.45 грн до 23.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 92394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
22+13.87 грн
100+8.71 грн
500+6.05 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 4238333042464537333934443732424630333137464446394235303146443231.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
23+14.64 грн
100+8.02 грн
500+5.91 грн
1000+5.06 грн
3000+3.80 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Виробник : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.