2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.21 грн |
| 6000+ | 4.52 грн |
| 9000+ | 4.27 грн |
| 15000+ | 3.75 грн |
| 21000+ | 3.59 грн |
| 30000+ | 3.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SC3326-B,LF за ціною від 5.62 грн до 24.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC3326-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 64513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SC3326-B,LF | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
2SC3326-B,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification |
на замовлення 13558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3326-B,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.63 грн |
| 21+ | 14.53 грн |
| 100+ | 9.11 грн |
| 500+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 5.62 грн |
| 2SC3326-B,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3326-B,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)