Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC4117-BL,LF
2SC4117-BL,LF

2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117_datasheet_en_20210625.pdf?did=19294&prodName=2SC4117 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.52 грн
6000+ 2.25 грн
9000+ 1.86 грн
30000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 100 mW.

Інші пропозиції 2SC4117-BL,LF за ціною від 1.93 грн до 15.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117_datasheet_en_20210625.pdf?did=19294&prodName=2SC4117 Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 35321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.09 грн
28+ 9.89 грн
100+ 4.82 грн
500+ 3.78 грн
1000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Виробник : Toshiba 2SC4117_datasheet_en_20210625-1916390.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 64453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
28+ 11 грн
100+ 3.92 грн
1000+ 2.72 грн
3000+ 2.32 грн
9000+ 1.99 грн
24000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Виробник : Toshiba 2sc4117_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Виробник : Toshiba 2sc4117_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
товар відсутній
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Виробник : Toshiba 2sc4117_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
товар відсутній