Продукція > TOSHIBA > 2SC4213-B(TE85L,F)
2SC4213-B(TE85L,F)

2SC4213-B(TE85L,F) TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.44 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4213-B(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SC4213-B(TE85L,F) за ціною від 4.10 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC4213-B(TE85L,F) 2SC4213-B(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.05 грн
62+13.37 грн
100+9.00 грн
500+6.44 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213-B(TE85L,F) 2SC4213-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2sc4213_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213-B(TE85L,F) 2SC4213-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2sc4213_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 100mW 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.