2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.16 грн |
6000+ | 4.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 100 mW.
Інші пропозиції 2SC4213BTE85LF за ціною від 3.76 грн до 30.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC4213BTE85LF | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.1W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 350...1200 Collector current: 0.3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Frequency: 30MHz |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC4213BTE85LF | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.1W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 350...1200 Collector current: 0.3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC4213BTE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 10904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC4213BTE85LF | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans |
на замовлення 17537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|