2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.76 грн
6000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 100 mW.

Інші пропозиції 2SC4213BTE85LF за ціною від 6.20 грн до 26.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC4213BTE85LF 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213 Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213BTE85LF Toshiba 2SC4213_datasheet_en_20210625-1090316.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
на замовлення 22789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213_datasheet_en_20210625-1090316.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
на замовлення 22789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.