Продукція > TOSHIBA > 2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba


docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
806+14.53 грн
883+ 13.26 грн
1035+ 11.31 грн
1091+ 10.34 грн
2000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 806
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 17dB ~ 23dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 550MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active.

Інші пропозиції 2SC4215-Y(TE85L,F) за ціною від 5.34 грн до 34.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
13+ 22.05 грн
100+ 11.1 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SC4215_datasheet_en_20140301-1090314.pdf Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.74 грн
12+ 25.95 грн
100+ 9.61 грн
1000+ 7.48 грн
3000+ 6.28 грн
9000+ 5.74 грн
24000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 128docget.jsppid2sc4215langentypedatasheet.jsppid2sc4215langentypeda.pdf Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin USM T/R
товар відсутній
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товар відсутній