| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 806+ | 17.45 грн |
| 883+ | 15.92 грн |
| 1035+ | 13.58 грн |
| 1091+ | 12.42 грн |
| 2000+ | 10.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Frequency - Transition: 550MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 100mW, Gain: 17dB ~ 23dB, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SC4215-Y(TE85L,F) за ціною від 7.66 грн до 33.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC4215-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 17dB ~ 23dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 550MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SC4215-Y(TE85L,F) | Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V |
на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC4215-Y(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 13+ | 23.50 грн |
| 100+ | 11.83 грн |
| 500+ | 9.84 грн |
| 1000+ | 7.66 грн |
| 2SC4215-Y(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)