Продукція > TOSHIBA > 2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba


docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
806+15.15 грн
883+13.83 грн
1035+11.79 грн
1091+10.78 грн
2000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 806
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 17dB ~ 23dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 550MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active.

Інші пропозиції 2SC4215-Y(TE85L,F) за ціною від 5.89 грн до 38.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
13+24.29 грн
100+12.23 грн
500+10.17 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SC4215_datasheet_en_20140301-1090314.pdf Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.28 грн
12+28.60 грн
100+10.59 грн
1000+8.24 грн
3000+6.92 грн
9000+6.33 грн
24000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 128docget.jsppid2sc4215langentypedatasheet.jsppid2sc4215langentypeda.pdf Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.