2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SMQ, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2SC5087R(TE85L,F) за ціною від 6.61 грн до 30.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5087R(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5087R(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |