Продукція > TOSHIBA > 2SC5087R(TE85L,F)
2SC5087R(TE85L,F)

2SC5087R(TE85L,F) Toshiba


Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.77 грн
10+46.18 грн
100+25.46 грн
500+15.75 грн
1000+11.89 грн
3000+10.06 грн
6000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SMQ, Part Status: Active.

Інші пропозиції 2SC5087R(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087R(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087R(TE85L,F)
2SC5087R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.