2SC5087R(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.55 грн |
| 14+ | 26.55 грн |
| 100+ | 15.47 грн |
| 500+ | 11.20 грн |
| 1000+ | 9.90 грн |
| 3000+ | 8.38 грн |
| 6000+ | 7.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SMQ, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2SC5087R(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5087R(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
|
|
2SC5087R(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
товару немає в наявності |