2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 314.05 грн |
| 25+ | 172.44 грн |
| 100+ | 141.26 грн |
| 500+ | 109.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції 2SC5200-O(S1,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5200-O(S1,F | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5200-O(S1,F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)