
2SC5200-O(S1,F Toshiba
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.12 грн |
10+ | 221.66 грн |
100+ | 155.96 грн |
500+ | 139.04 грн |
1000+ | 119.18 грн |
2500+ | 111.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5200-O(S1,F Toshiba
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції 2SC5200-O(S1,F
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2SC5200-O(S1,F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
||
2SC5200-O(S1,F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
2SC5200-O(S1,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(L) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |