Інші пропозиції 2SC5200N(S1,E,S) за ціною від 67.77 грн до 378.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5200N(S1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 5514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5200N(S1,E,S) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.16 грн |
| 25+ | 135.11 грн |
| 100+ | 109.72 грн |
| 500+ | 83.88 грн |
| 1000+ | 77.75 грн |
| 2000+ | 72.59 грн |
| 5000+ | 67.77 грн |
| 2SC5200N(S1,E,S) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 378.82 грн |
| 2SC5200N(S1,E,S) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC5200N(S1,E,S) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






