Інші пропозиції 2SC5200N(S1,E,S) за ціною від 66.48 грн до 349.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 5610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
на замовлення 3434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|




