
2SC5200N(S1,E,S) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 209.59 грн |
10+ | 198.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5200N(S1,E,S) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SC5200N(S1,E,S) за ціною від 80.18 грн до 277.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
2SC5200N(S1,E,S) Код товару: 176754
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2SC5200N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |