Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5200N(S1,E,S)

2SC5200N(S1,E,S)

2SC5200N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13909&prodName=2SC5200N
Код товару: 176754
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5200N(S1,E,S) за ціною від 85.21 грн до 380.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13909&prodName=2SC5200N Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.59 грн
25+135.64 грн
100+110.16 грн
500+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 545docget.jspdid13909prodname2sc5200n.jspdid13909prodname2sc5200n.pd.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+380.52 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 1CA86B734E651809A986A37F0E124A0A84D196F661D2A5515F88B4BA5204AACC.pdf Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13909&prodName=2SC5200N
2SC5200N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.59 грн
25+135.64 грн
100+110.16 грн
500+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5200N(S1,E,S) 545docget.jspdid13909prodname2sc5200n.jspdid13909prodname2sc5200n.pd.pdf
2SC5200N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+380.52 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5200N(S1,E,S) 1CA86B734E651809A986A37F0E124A0A84D196F661D2A5515F88B4BA5204AACC.pdf
2SC5200N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.