Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC5242-O(Q)
2SC5242-O(Q)

2SC5242-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242_datasheet_en_20131101.pdf?did=20673&prodName=2SC5242 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.63 грн
10+175.63 грн
100+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5242-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції 2SC5242-O(Q)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5242-O(Q) 2SC5242-O(Q) Виробник : Toshiba 42sc5242_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5242-O(Q) 2SC5242-O(Q) Виробник : Toshiba 2SC5242_datasheet_en_20131101-1135639.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.