Інші пропозиції 2SC5354-1(F) за ціною від 185.24 грн до 402.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5354-1(F) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SC5354-1(F) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SC5354-1(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3PVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tray Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-3P(N) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SC5354-1(F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
2SC5354-1(F) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5354-1(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 215.81 грн |
| 68+ | 207.59 грн |
| 2SC5354-1(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 380.05 грн |
| 10+ | 267.96 грн |
| 2SC5354-1(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 402.05 грн |
| 50+ | 202.99 грн |
| 100+ | 185.24 грн |
| 2SC5354-1(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A
Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SC5354-1(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






