на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 308.98 грн |
| 100+ | 249.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5354-1(F) Toshiba
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-3P(N), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції 2SC5354-1(F) за ціною від 152.13 грн до 384.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5354-1(F) | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A |
на замовлення 4289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SC5354-1(F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC5354-1(F) Код товару: 101291
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
| 2SC5354-1(F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
2SC5354-1(F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-3P(N) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |