| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 218.64 грн |
| 68+ | 210.32 грн |
| 100+ | 203.18 грн |
| 250+ | 189.98 грн |
| 500+ | 171.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5359-O(Q) Toshiba
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Power - Max: 180 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P(L), Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3PL, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SC5359-O(Q) за ціною від 97.75 грн до 331.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5359-O(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PPower - Max: 180 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(L) Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3PL Packaging: Bulk |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5359-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 230V 15A |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|