2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 8.34 грн |
| 16000+ | 7.40 грн |
| 24000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3.2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5662T2LP за ціною від 9.07 грн до 41.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5662T2LP | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SC5662T2LP | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SC5662T2LP | Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V Power - Max: 150 mW Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz |
на замовлення 25641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SC5662 T2LP | ROHM |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5662T2LP |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.27 грн |
| 500+ | 10.99 грн |
| 1000+ | 9.11 грн |
| 2SC5662T2LP |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.40 грн |
| 32+ | 25.45 грн |
| 100+ | 16.27 грн |
| 500+ | 10.99 грн |
| 1000+ | 9.11 грн |
| 2SC5662T2LP |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
на замовлення 25641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.94 грн |
| 13+ | 24.83 грн |
| 100+ | 15.86 грн |
| 500+ | 11.24 грн |
| 1000+ | 10.06 грн |
| 2000+ | 9.07 грн |
| 2SC5662 T2LP |
Виробник: ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



