2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1819+ | 6.97 грн |
| 1883+ | 6.73 грн |
| 1904+ | 6.66 грн |
| 2000+ | 6.30 грн |
| 8000+ | 5.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 3.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC5662T2LP за ціною від 7.40 грн до 44.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 29191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC5662 T2LP | Виробник : ROHM |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SC5662 T2LP | Виробник : ROHM | 0426+ SC70-3 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2SC5662T2LP | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 11V; 0.05A; 150mW; SOT723 Mounting: SMD Case: SOT723 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 11V Current gain: 180 Frequency: 3.2GHz |
товару немає в наявності |


