2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1819+ | 7.67 грн |
| 1883+ | 7.41 грн |
| 1904+ | 7.33 грн |
| 2000+ | 6.93 грн |
| 8000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3.2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5662T2LP за ціною від 7.13 грн до 42.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5662T2LP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 25641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC5662 T2LP | Виробник : ROHM |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
2SC5662T2LP | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA |
товару немає в наявності |