Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC5712(TE12L,F)
2SC5712(TE12L,F)

2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.30 грн
2000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SC5712(TE12L,F) за ціною від 9.69 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SC5712_datasheet_en_20131101-1916105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.81 грн
11+31.06 грн
100+18.05 грн
500+14.02 грн
1000+11.89 грн
2000+10.35 грн
5000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+31.34 грн
100+20.15 грн
500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Виробник : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.