2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.18 грн |
| 11+ | 27.65 грн |
| 100+ | 17.76 грн |
| 500+ | 12.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SC5712(TE12L,F) за ціною від 15.73 грн до 65.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SC5712(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SC5712(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 353+ | 64.25 грн |
| 674+ | 20.85 грн |
| 700+ | 20.09 грн |
| 1000+ | 18.74 грн |
| 2500+ | 16.84 грн |
| 5000+ | 15.73 грн |
| 2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 65.37 грн |
| 500+ | 40.74 грн |
| 1000+ | 26.41 грн |
| 2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




