2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.18 грн
11+27.65 грн
100+17.76 грн
500+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SC5712(TE12L,F) за ціною від 15.73 грн до 65.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+64.25 грн
674+20.85 грн
700+20.09 грн
1000+18.74 грн
2500+16.84 грн
5000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+65.37 грн
500+40.74 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 65881D1C91F3D50530E1C9C321F1B6CBAB04970DE0E6922D196A3F0C8BB17B4A.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
353+64.25 грн
674+20.85 грн
700+20.09 грн
1000+18.74 грн
2500+16.84 грн
5000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+65.37 грн
500+40.74 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 65881D1C91F3D50530E1C9C321F1B6CBAB04970DE0E6922D196A3F0C8BB17B4A.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.