Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SC6026MFV-Y,L3F
2SC6026MFV-Y,L3F

2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC6026MFV-Y,L3F за ціною від 2.13 грн до 11.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC6026MFV-Y,L3F 2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.57 грн
46+6.54 грн
100+4.03 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F 2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba 2SC6026MFV_datasheet_en_20140301-1916509.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFV-Y,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.57 грн
46+6.54 грн
100+4.03 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F 2SC6026MFV_datasheet_en_20140301-1916509.pdf
2SC6026MFV-Y,L3F
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.