Продукція > TOSHIBA > 2SC6026MFVGR,L3F
2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F Toshiba

282sc6026mfv_en_datasheet_100519.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba

Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SC6026MFVGR,L3F за ціною від 1.39 грн до 15.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba 282sc6026mfv_en_datasheet_100519.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8572+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 8572
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
41+7.57 грн
100+4.69 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba 2SC6026MFV_datasheet_en_20140301-1916509.pdf Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.93 грн
32+10.72 грн
100+3.82 грн
1000+2.35 грн
2500+1.98 грн
8000+1.54 грн
24000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba 282sc6026mfv_en_datasheet_100519.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Виробник : Toshiba 282sc6026mfv_en_datasheet_100519.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.