Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Supplier Device Package: VESM, Frequency - Transition: 60MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SC6026MFVGR,L3F за ціною від 1.64 грн до 12.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: VESM Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 150 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: VESM Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 26375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN |
на замовлення 35104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC6026MFVGR,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8572+ | 1.64 грн |
| 2SC6026MFVGR,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.02 грн |
| 16000+ | 1.75 грн |
| 2SC6026MFVGR,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.32 грн |
| 41+ | 7.26 грн |
| 100+ | 4.46 грн |
| 500+ | 3.05 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| 2000+ | 2.37 грн |
| 2SC6026MFVGR,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)