2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції 2SC6076(TE16L1,NV) за ціною від 9.83 грн до 46.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC6076(TE16L1,NV) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Transtr Hi-Speed New PW-Mold |
на замовлення 15707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC6076(TE16L1,NV) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 3592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC6076(TE16L1,NV) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|